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  正在晶圆成立质料中,CMP扔光质料吞没了7%的墟市。遵循区别工艺制程和时间节点的请求,每一片晶圆正在坐蓐经过中都市始末几道乃至几十道的CMP扔光工艺次序。从0。35μm时间节点首先,CMP时间成为了目前独一可告竣全部平整化的症结时间。

  化学呆板扔光时间(CMP)全称为Chemical Mechanical Polishing,是经过中告竣晶圆全部平均平整化的症结工艺。集成电道成立经过比如修屋子,每搭修一层楼层都须要让楼层足够程度齐整,才气正在其上方陆续搭修另一层楼,不然楼面就会凹凸不屈,影响整个牢靠性,而这个使楼层整个平整的时间正在集成电道中成立顶用的即是化学呆板扔光时间。

  集成电道成立须要正在单晶硅片上践诺一系列的物理和化学操作,工艺繁复,正在单晶硅片成立和前半制程工艺中会众次用到CMP时间。正在前半制程工艺中,重要操纵正在众层金属布线层的扔光中。因为IC元件采用众层立体布线,须要刻蚀的每一层都有很高的全部平整度,以担保每层全部平整化。

  与守旧的纯呆板或纯化学的扔光形式区别,CMP是一种由化学用意和呆板功课两方面协同实行的扔光形式,也许告竣晶圆轮廓的高度(纳米级)平整化成果,是薄膜平整化的最佳利器,进而也许改革芯片的整个组织,擢升芯片的归纳机能。

  遵循IC Insights统计数据,2018年环球CMP扔光质料墟市领域为20。1亿美元,个中扔光液和扔光垫墟市领域分袂为12。7亿美元和7。4亿美元,中邦扔光液墟市领域约16亿百姓币,估计2017-2020年环球CMP扔光质料墟市领域年复合伸长率为6%。从工业链上看,CMP扔光质料位于上逛。中逛为晶圆加工和芯片成立,下逛为盘算机、通信、汽车电子、工控医疗等终端操纵。

  CMP的重要事业道理是正在必定的压力及扔光液的存不才,被扔光的晶圆对扔光垫做相对运动,借助纳米磨料的呆板研磨用意与百般化学试剂的化学用意之间的高度有机连结,使被扔光的晶圆轮廓抵达高度平整化、低轮廓粗疏度和低缺陷的请求。

  CMP扔光质料重要网罗扔光液、扔光垫、调整器、明净剂等,其墟市份额分袂占比49%、33%、9%和5%。重要以扔光液和扔光垫为主,至2018年墟市扔光液和扔光垫墟市分袂抵达了12。7和7。4亿美元。扔光液的用意重要是为扔光对象供给研磨及侵蚀溶化,大凡为影响化学呆板扔光的化学身分。

  扔光垫的用意重要是传输扔光液,传导压力和打磨发作化学反映的质料轮廓,大凡为影响化学呆板扔光的呆板身分。扔光质料的墟市容量重要取决于下逛晶圆产量,近年来继续坚持较为平静伸长,估计到2020年环球墟市领域抵达23亿美元以上,个中扔光液的墟市领域希望正在2020年打破14亿美元,是发动悉数扔光耗材墟市发展重要动力。

  扔光液门槛较高。扔光液凡是分为二氧化硅扔光液、钨扔光液、铝扔光液和铜扔光液。个中铜扔光液重要操纵于130nm及以下时间节点逻辑芯片的成立工艺,而钨扔光液则大方操纵于存储芯片成立工艺,正在逻辑芯片顶用量较少。扔光液正在CMP经过中影响着化学用意与磨粒呆板用意水平的比例,很大水平上裁夺了CMP能获取的扔光轮廓质地和扔光成果。

  集成电道工艺的进化带来了对扔光质料的各样新需求。过去三十年中,集成电道工业听命摩尔定律,制程节点不休推动,从1997年250nm首先,均匀每18个月安排呈现新一代时间节点,目前领先厂商如台积电等已告竣7nm工艺量产,5nm工艺也量产期近。逻辑芯片跟着制程增众,也为CMP扔光液用量带来了伸长机缘。

  90nm工艺请求的症结CMP工艺仅12步安排,所用扔光液的品种约5、6种,而7nm以下工艺CMP扔光次序乃至可达30步,应用扔光液品种也亲近30种,发动CMP扔光液的品种和用量都迟缓伸长。

  环球芯片扔光液重要被日本Fujimi、HinomotoKenmazai公司,美邦卡博特、杜邦、Rodel、Eka,韩邦的ACE等所垄断,吞没环球90%以上的高端墟市份额。个中卡博特环球扔光液墟市占据率最高,然则仍然从2000年约80%降落至2017年35%,外白异日环球扔光液墟市朝向众元化兴盛,本土化自给率擢升。邦内这一墟市重要依赖进口,邦内仅有个人企业能够坐蓐,但也展现了邦内渐渐的时间打破,以及进口代替墟市的强壮。

  扔光垫墟市目前重要被陶氏化学公司所垄断,吞没环球扔光垫墟市76%的墟市份额,正在细分集成电道芯片和蓝宝石两个高端规模更是吞没90%的墟市份额。其他供应商还网罗日本东丽、3M、台湾三方化学、卡博特等公司,合计份额正在10%安排。

  遵循环球CMP质料领先企业Cabot(卡博特)墟市预估,跟着晶圆厂产能伸长,估计至2023年CMP扔光垫环球墟市领域约9。9亿美金,估计异日环球CMP墟市复制伸长率约6%。跟着异日邦内晶圆厂大幅投产,测算估计异日5年中邦CMP扔光垫墟市领域增速可超10%,至2023年可达约4。40亿美金,具有较大的兴盛前景。

  正在计谋和资金的撑持下,我邦集成电道工业兴盛迅猛,为工业链告竣整个打破创设条款。2020年将是邦产晶圆成立企业振兴元年,跟着中逛成立时间技能赶超寰宇进步,产能希望迟缓翻番伸长。正在计谋和资金的撑持下,我邦集成电道工业兴盛迅猛,为工业链告竣整个打破创设条款,中枢质料邦产化配套势正在必行。邦内晶圆产能增众及进步制程的兴盛,将发动CMP扔光质料需求急速伸长。

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  00 NAND门诈骗进步的硅栅极CMOS时间告竣了与LS-TTL门电道一致的操作速率,同时坚持了准则CMOS集成电道的低功耗。全面栅极都有缓冲输出。全面器件都有高抗扰度,而且也许驱动10 LS-TTL负载。74HC逻辑系列的功效和引脚分拨与准则74LS逻辑系列兼容。庇护全面输入端,免得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特点 外率宣扬延迟:8 ns 宽电源畛域:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 操纵 此产物是凡是用处,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图。。。

  U04反相器诈骗进步的硅栅极CMOS时间告竣了与LS-TTL门电道一致的操作速率,同时坚持了准则CMOS集成电道的低功耗。MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,而且也许驱动15 LS-TTL负载。74HC逻辑系列的功效和引脚分拨与准则74LS逻辑系列兼容。庇护全面输入端,免得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特点 外率宣扬延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条款下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 操纵 本产物是凡是用处,合用于很众区别的产物操纵。 电道图、引脚图和封装图。。。

  T164采用进步的硅栅极CMOS时间。具有准则CMOS集成电道的高抗噪技能和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速率。该8位移位寄存用具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B容许对涌入数据的整个掌管。正在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器不才一个时钟脉冲时重置至低电平。正在一个输入的高电平使能其他输入,将裁夺第一个触发器的形态。串行输入的数据正在时钟为高电平或低电普通将被变革,然则仅有满意创立和坚持时辰请求的音信进入。正在正向电压正在时钟脉冲转换光阴,数据串行改观入和移出8位寄存器。清零与时钟无合,通过清零输入的低电平告竣。74HCT逻辑系列的功效和引脚分拨与准则74LS MM。7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与准则CMOS器件之间的接口。此外,这些器件也是LS-TTL器件的插件调换件,况且可用于低浸现有计划的功耗。 特 外率宣扬延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 操纵 此产物是凡是用处,合用于很众不。。。

  595高速移位寄存器采用进步的硅栅极CMOS时间。此器件具有准则CMOS集成电道的高抗扰度和低功耗特色,能够驱动15个LS-TTL负载。它包蕴一个8位串进并移位寄存器,能够馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存用具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都供给独立的时钟。移位寄存用具有直接笼盖清零,串行输入和串行输出(准则)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都应用正边沿触发时钟。假若两个时钟维系正在一道,则移位寄存器形态永远比存储寄存器提前一个时钟脉冲。74HC逻辑系列正在速率,功效和引脚输出上与准则74LS逻辑系列兼容。全面输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以庇护,免得因静电放电而受损。 特点 低静态电流最大值(最大值) / ul

  带存储功效的8位串进并出移位寄存器 宽事业电压畛域2V-6V 可级联 移位寄存用具有直接清零引脚 担保移位频率:DC到30MHz 操纵 此产物是凡是用处,合用于很众区别的操纵次序。 电道图、引脚图和封装图。。。

  164采用进步的硅栅极CMOS时间。具有准则CMOS集成电道的高抗噪技能和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速率。该8位移位寄存用具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B容许对涌入数据的整个掌管。正在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器不才一个时钟脉冲时重置至低电平。正在一个输入的高电平使能其他输入,将裁夺第一个触发器的形态。串行输入的数据正在时钟为高电平或低电普通将被变革,然则仅有满意创立和坚持时辰请求的音信进入。正在正向电压正在时钟脉冲转换光阴,数据串行改观入和移出8位寄存器。清零与时钟无合,通过清零输入的低电平告竣。74HC逻辑系列的功效和引脚分拨与准则74LS逻辑系列兼容。庇护全面输入端,免得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特点 外率事业频率:50 MHz 外率宣扬延迟:19 ns(调时至Q) 宽事业电压畛域:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 操纵 该产物是凡是用处,合用于很众区别的操纵。。。

  373高速8道D类锁存采用进步的硅栅极CMOS时间。它们具有准则CMOS集成电道的高抗扰度和低功耗特色,能够驱动15个LS-TTL负载。因为具有大输出驱动技能和3态功效,这些器件极度适合与总线结构体系中的总线 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电普通,Q输出端将要服从D输入端。当LATCH ENABLE变为低电普通,D输入端的数据将保存正在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平操纵于OUTPUT CONTROL(输出掌管)输入端时,全面输出端进入高阻抗形态,不管其他输入端存正在什么信号,也不管存储元件的形态怎样。74HC逻辑系列正在容量。庇护全面输入端,免得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特点 外率宣扬延迟:18 ns 宽事业电压畛域2至6V 低输入[0]

  输出驱动技能:15 LS-TTL负载 操纵 此产物是凡是用法,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图。。。

  573高速八道D型锁存器采用进步的硅栅极P井CMOS时间。它们具有准则CMOS集成电道的高抗扰度和低功耗特色,能够驱动15个LS-TTL负载。因为具有大输出驱动技能和3态功效,这些器件极度适合与总线结构体系中的总线线道接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电普通,Q输出端将要服从D输入端。当LATCH ENABLE变为低电普通,D输入端的数据将保存正在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平操纵于输出掌管OC输入端时,全面输出端进入高阻抗形态,不管其他输入端存正在什么74HC逻辑系列兼容。庇护全面输入端,免得因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的形态怎样。和地线的静电放电而受到损坏。 特点 外率宣扬延迟:18 ns 宽事业电压畛域2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向体系 输出驱动技能:15 LS-TTL负载 操纵 此产物是凡是用处,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图。。。

  T74诈骗进步的硅栅极CMOS时间告竣了与LS-TTL等效部件一致的操作速率。它具有准则CMOS集成电道的高抗噪技能和低功耗特色,能够驱动10个LS-TTL负载。该触发用具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电公正在时钟脉冲正向转换光阴被传输到输出。预设和清零与时钟无合,通过适宜输入端的低电平告竣。74HCT逻辑系列正在速率,功效和引脚陈设上与准则74LS逻辑系列兼容。庇护全面输入端,免得因内部二极管钳位至V CC。。。

  175高速D型触发器带互补输出,采用进步硅栅极CMOS时间抵达准则CMOS集成电道的高抗扰乱度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的技能。MM74HC175 D输入音信正在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部供给原码和增补输入。全面四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR掌管。清零由CLEAR输入的一个负脉冲实行。全面四个Q输出被清零至逻辑“0”,全面四个Q#输出设为逻辑“1”。74HC逻辑系列的功效和引脚分拨与准则74LS逻辑系列兼容。庇护全面输入端,免得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特点 外率宣扬延迟:15 ns 宽事业电压畛域:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 操纵 此产物是凡是的用法,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图。。。

  574高速八通道D型触发器采用进步的硅栅极P井CMOS时间。它们具有准则CMOS集成电道的高抗扰度和低功耗特色,能够驱动15个LS-TTL负载。因为具有大输出驱动技能和3态功效,这些器件极度适合与总线结构体系中的总线线道接口。D输入端适宜创立和坚持时辰请求的数据正在时钟(CK)输入的正向转换光阴传输到Q输出。当高逻辑电平操纵于OUTPUT CONTROL(输出掌管)输入端时,全面输出端进入高阻抗形态,不管其他输入端存正在什么信号,也不管存储元件的形态怎样。 74HC逻辑系列正在速率,功效和引脚陈设上与准则74LS逻辑系列兼容。庇护全面输入端,免得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特点 外率宣扬延:18 ns 宽事业电压畛域2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向体系 输出驱动技能:15 LS-TTL负载 操纵 此产物是凡是用处,合用于很众区别的操纵次序。 电道图、引脚图和封装图。。。

  74A诈骗进步的硅栅极CMOS时间告竣了与LS-TTL等效部件一致的操作速率。它具有准则CMOS集成电道的高抗噪技能和低功耗特色,能够驱动10个LS-TTL负载。该触发用具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电公正在时钟脉冲正向转换光阴被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。庇护全面输入端,免得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特点 外率宣扬延迟:20 ns 宽电源畛域:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 操纵 此产物是凡是用处,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图。。。

  574高速八通道D型触发器采用进步的硅栅极P井CMOS时间。它们具有准则CMOS集成电道的高抗扰度和低功耗特色,能够驱动15个LS-TTL负载。因为具有大输出驱动技能和3态功效,这些器件极度适合与总线结构体系中的总线线道接口。正在这里(CK)输入的正向转换经过中,D输入端的数据(适宜创立和坚持时辰的请求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平操纵于OUTPUT CONTROL(输出掌管)输入端时,全面输出端进入高阻抗形态,不管其他输入端存正在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。庇护全面输入端,免得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特点 外率宣扬延迟:20 ns 宽事业电压畛域2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向体系 输出驱动技能:15 LS-TTL负载 操纵 此产物是凡是用法,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图。。。

  线性稳压器是单片集成电道,计划用作固定电压调整器,合用于各样操纵,网罗当地,卡上调整。这些稳压器采用内部限流,热合断和和平区域积累。通过充盈的散热,它们能够供给进步1。0 A的输出电流。固然重要计划为固定电压调整器,但这些器件能够与外部元件一道应用,以获取可调电压和电流。 特点 输出电流进步1。0 A 无需外部元件 内部热过载庇护 内部短道电流局限 输出晶体管和平区域积累 输出电压供给1。5%,2%和4%容差 无铅封装可用 操纵 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电道图、引脚图和封装图。。。

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电道,包蕴很众基于微处分器的体系所需的监控功效。它专为装备和工业操纵而计划,为计划职员供给了经济高效的处置计划,只需极少的外部组件。这些集成电道具有5。0 V / 100 mA稳压器,具有短道电流局限,固定输出2。6 V带隙基准,低电压复位对比器,带可编程迟滞的电源警卫对比器,以及非专用对比器,极度适合微处分器线道同步。 其他功效网罗用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温庇护的内部热合断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可抬高导热性。 特点 5。0 V稳压器输出电流进步100 mA 内部短道电流局限 固定2。6 V参考 低压复位对比器 具有可编程迟滞的电源警卫对比器 未提交的对比器 低待机方今 内部热合断庇护 加热标签电源包 无铅封装可用 电道图、引脚图和封装图。。。

  530双道降压DC-DC转换器是一款单片集成电道,专用于下逛电压轨的汽车驾驶员音信体系。两个通道均可正在0。9 V至3。3 V畛域内举行外部调整,并可供给高达1600 mA的电流。转换器的事业频率为2。1 MHz,高于敏锐的AM频段,而且相位差180°,以删除轨道上的大方电流需求。同步整流抬高了体系服从。 NCV896530供给汽车电源体系的其他功效,如集成软启动,逐周期电流局限和热合断庇护。该器件还能够与2。1 MHz畛域内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节俭空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特点 上风 同步整改 服从更高 2。1 MHz开合频率 电感更小,没有AM频段发射 热局限和短道庇护 打击庇护 2输出为180°异相 低浸输入纹波 内部MOSFET 低浸本钱和处置计划领域 操纵 音频 资讯文娱t 仪器 电道图、引脚图和封装图。。。

  NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高服从 2。25 MHz 1。6 A。

  2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电道,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式操纵供给新型众媒体计划的中枢和I / O电压。两个通道均可正在0。9V至3。3V之间举行外部调整,每个通道可供给高达1。6A的电流,最大电流为1。0A。转换器以2。25MHz的开合频率运转,通过容许应用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相事业来减小元件尺寸,从而删除电池的大方电流需求。主动切换PWM / PFM形式和同步整流可抬高体系服从。该器件还能够事业正在固定频率PWM形式,合用于须要低纹波和杰出负载瞬变的低噪声操纵。其他功效网罗集成软启动,逐周期电流局限和热合断庇护。该器件还能够与2。25 MHz畛域内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节俭空间的超薄型3x3 x 0。55 mm 10引脚uDFN封装。 特点 上风 97%服从,50uA静态电流,0。3 uA合断电流 拉长电池寿命和播放时辰 2。25MHz开合频率 容许应用更小的电感和电容 形式引脚操作:仅正在轻载或PWM形式下主动切换PWM / PFM形式 容许用户正在轻载或低噪声和纹波机能之间采用低功耗 可调输出电压0。9V至3。3V 复位输出引脚。。。

  2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电道,针对便携式操纵举行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0。9 V至3。3 V的可调输出电压,可供给高达600 mA的电流。它应用同步整流来抬高服从并删除外部部件数目。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过容许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。主动切换PWM / PFM形式可抬高体系服从。其他功效网罗集成软启动,逐周期电流局限和热合断庇护。 NCP1522B采用节俭空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特点 上风 94%服从,50 uA静态电流,0。3 uA合断电流 拉长电池寿命和播放时辰 3。0 MHz开合频率 容许应用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条款下PWM和PFM形式之间的主动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0。9V至3。3V 操纵 终端产物 电源f或操纵途理器 中枢电压低的处分器电源 智妙手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频体系 数码相机和摄像机 电道图、引脚图和封装图。。。

  NCP1529 降压转换器 DC-DC 高服从 可调整输出电压 低纹波 1。7 MHz 1 A。

  9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电道,合用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式操纵。该器件可正在外部可调畛域为0。9 V至3。9 V或固定为1。2 V或1。35 V的输出畛域内供给高达1。0 A的电流。它应用同步整流来抬高服从并删除外部元件数目。该器件还内置1。7 MHz(标称)振荡器,通过容许应用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。主动切换PWM / PFM形式可抬高体系服从。 其他功效网罗集成软启动,逐周期电流局限和热合断庇护。 NCP1529采用节俭空间的扁平2x2x0。5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特点 上风 96%服从,28 uA静态电流,0。3 uA合断电流 拉长电池续航时辰和播放时辰 1。7 MHz开合频率 容许应用更小的电感和电容器 正在轻负载条款下主动切换PWM和PFM形式 轻载时的低功耗 可调输出电压0。9V至3。9V 纵使正在PFM形式下,同类最佳低纹波 操纵 终端产物 电池供电操纵电源拘束 中枢电压低的处分器电源 USB供电装备 低压直流电源电源拘束 手机,智妙手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频体系 电道图、引脚图和封装图。。。

  系列降压开合稳压器是单片集成电道,极度适合单纯简单地计划降压型开合稳压器(降压转换器)。该系列的全面电道均也许以极佳的线 A负载。这些器件供给3。3 V,5。0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出书本。 此降压开合稳压器旨正在最大限定地删除外部元件的数目,从而简化电源计划。准则系列电感器针对LM2575举行了优化,由众家区别的电感器成立商供给。 因为LM2575转换器是一种开合电源,与守旧的三端线性稳压器比拟,其服从要高得众,独特是正在输入电压较高的环境下。正在很众环境下,LM2575稳压器损耗的功率极度低,不须要散热器,也不会大幅低浸其尺寸。 LM2575的特点网罗正在指定的输入电压和输出负载条款下担保4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。网罗外部合断,具有80 uA外率待机电流。输出开合网罗逐周期电流局限,以及正在打击条款下举行全庇护的热合断。 特点 3。3 V,5。0 V,12 V ,15 V和可调输出书本 可调版本输出电压畛域为1。23 V至37 V +/- 4%最大线 A输出电流 宽输入电压畛域:4。75 V至40 V 仅须要4个外部元件 。。。